DMC2020USD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.5 A, 6.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms, 33 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV, 400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

11.6 nC, 8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC2020

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

12.33 ns, 42.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.49 ns, 12.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35.89 ns, 94.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.67 ns, 16.8 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC2020USD-1, DMC2020U, DMC2020, DMC202, DMC20, DMC2, DMC