IPW50R350CPFKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

320 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

25 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

89 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.1 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

CoolMOS CE

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Teil # Aliase:

IPW50R350CPFKSA1 SP000301164

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

IPW50R35, IPW50R3, IPW50, IPW5, IPW