STW58N65DM2AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

88 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

MDmesh

Höhe:

5.15 mm

Länge:

20.15 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

STW58N65DM2AG

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Hochspannung

Breite:

15.75 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

7.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

157 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW5, STW