FCB20N60F-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

171 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Qg - Gate-Ladung:

78 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

405 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

SuperFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FCB20N60F_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

42 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

66 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

211 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

43 ns

Teil # Aliase:

FCB20N60F_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FCB20N60F, FCB20N, FCB20, FCB2, FCB