STH175N4F6-6AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

130 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Spule

Serie:

STH175N4F6-6AG

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

57 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

150 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

106 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

STH17, STH1, STH