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DMT6013LFDF-13

DMT6013LFDF-13
Mfr. #:
DMT6013LFDF-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMT6013LFDF-13 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
DMT6013LFDF-13 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
U-DFN2020-6
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
15 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
15 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
10.8 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Marke:
Eingebaute Dioden
Abfallzeit:
6.1 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
6.5 ns
Werkspackungsmenge:
10000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
15.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
4.3 ns
Gewichtseinheit:
0.000247 oz
Tags
DMT6013, DMT601, DMT60, DMT6, DMT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
DMTx MOSFETs
Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.
Gate Drivers
Diodes Incorporated Gate Drivers cover a multitude of applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMT6013LFDF-13
DISTI # V36:1790_21883590		Zetex / Diodes IncMOSFET BVDSS: 41V60V U-DFN2020-6 T&R 10K0
    DMT6013LFDF-13
    DISTI # DMT6013LFDF-13-ND    		Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10000
    Container: Tape & Reel (TR)    		Temporarily Out of Stock
    • 10000:$0.3920
    DMT6013LFDF-13
    DISTI # DMT6013LFDF-13    		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin U-DFN T/R - Tape and Reel (Alt: DMT6013LFDF-13)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10000
    Container: Reel    		Americas - 0
      DMT6013LFDF-13
      DISTI # 621-DMT6013LFDF-13      		Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V0
      • 1:$0.9100
      • 10:$0.7840
      • 100:$0.6030
      • 500:$0.5330
      • 1000:$0.4200
      Bild Teil # Beschreibung
      DMT6013LFDF-13

      Mfr.#: DMT6013LFDF-13

      OMO.#: OMO-DMT6013LFDF-13

      		 MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
      DMT6013LFDF-7

      Mfr.#: DMT6013LFDF-7

      OMO.#: OMO-DMT6013LFDF-7

      		 MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
      DMT6013LSS-13

      Mfr.#: DMT6013LSS-13

      OMO.#: OMO-DMT6013LSS-13

      		 MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
      DMT6013LPS-13

      Mfr.#: DMT6013LPS-13

      OMO.#: OMO-DMT6013LPS-13-1190

      		 Neu und Original
      DMT6013LFDF-13

      Mfr.#: DMT6013LFDF-13

      OMO.#: OMO-DMT6013LFDF-13-DIODES

      		 MOSFET BVDSS: 41V60V U-DFN2020-6 T&R 10K
      DMT6013LFDF-7

      Mfr.#: DMT6013LFDF-7

      OMO.#: OMO-DMT6013LFDF-7-DIODES

      		 MOSFET BVDSS: 41V60V U-DFN2020-6 T&R 3K
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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      0,91 $
      10
      0,78 $
      7,84 $
      100
      0,60 $
      60,30 $
      500
      0,53 $
      266,50 $
      1000
      0,42 $
      420,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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