BSP603S2L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

16 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.8 ns

Teil # Aliase:

BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

BSP603S2L, BSP603S, BSP603, BSP60, BSP6, BSP