FCP170N60

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

22 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

42 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

227 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FCP170N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Abfallzeit:

3.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

FCP1, FCP