STP80NF70

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

68 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

98 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

75 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

190 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

STP80NF70

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

75 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP80NF70, STP80NF7, STP80NF, STP80N, STP80, STP8, STP