IRF7739L2TR1PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-L8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

220 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.74 mm

Länge:

9.15 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

7.1 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

280 S

Abfallzeit:

42 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

71 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Teil # Aliase:

SP001563718

Gewichtseinheit:

0.035274 oz

Tags

IRF7739L2, IRF7739, IRF773, IRF77, IRF7, IRF