MJ15002G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-204-2

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

140 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

140 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

2 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

8.51 mm (Max)

Länge:

39.37 mm

Verpackung:

Tablett

Breite:

26.67 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

15 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25

Pd - Verlustleistung:

200 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

MJ15002, MJ1500, MJ150, MJ15, MJ1