TN6729A

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-226-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

TN6729A

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

7.87 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008818 oz

Tags

TN6729, TN672, TN67, TN6