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IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV
Mfr. #:
IXTA08N100D2HV
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTA08N100D2HV Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTA08N100D2HV DatasheetIXTA08N100D2HV Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263HV-2
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
800 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
21 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
14.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
60 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erschöpfung
Verpackung:
Rohr
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
48 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
57 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
28 ns
Tags
IXTA08N100D2H, IXTA08N100D, IXTA08N10, IXTA08N1, IXTA08, IXTA0, IXTA, IXT
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTA08N100D2HV
DISTI # V99:2348_17657953		IXYS CorporationIXTA08N100D2HV30
  • 100:$2.1208
  • 25:$2.2679
  • 10:$2.5026
  • 1:$3.0892
IXTA08N100D2HV
DISTI # V36:1790_17657953		IXYS CorporationIXTA08N100D2HV0
  • 50000:$1.0910
  • 25000:$1.0940
  • 5000:$1.4560
  • 500:$2.1340
  • 50:$2.2500
IXTA08N100D2HV TRL
DISTI # V36:1790_18302727		IXYS CorporationIXTA08N100D2HV TRL0
    IXTA08N100D2HV
    DISTI # IXTA08N100D2HV-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 50
    Container: Tube    		Temporarily Out of Stock
    • 50:$2.2500
    IXTA08N100D2HV
    DISTI # 32405635    		IXYS CorporationIXTA08N100D2HV30
    • 100:$2.1208
    • 25:$2.2679
    • 10:$2.5026
    • 6:$3.0892
    Bild Teil # Beschreibung
    IXTA08N100D2

    Mfr.#: IXTA08N100D2

    OMO.#: OMO-IXTA08N100D2

    		 MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
    IXTA08N120P

    Mfr.#: IXTA08N120P

    OMO.#: OMO-IXTA08N120P

    		 MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
    IXTA08N50D2

    Mfr.#: IXTA08N50D2

    OMO.#: OMO-IXTA08N50D2

    		 MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
    IXTA08N100P

    Mfr.#: IXTA08N100P

    OMO.#: OMO-IXTA08N100P

    		 MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
    IXTA08N120P-TRL

    Mfr.#: IXTA08N120P-TRL

    OMO.#: OMO-IXTA08N120P-TRL

    		 MOSFET IXTA08N120P TRL
    IXTA08N120PTR

    Mfr.#: IXTA08N120PTR

    OMO.#: OMO-IXTA08N120PTR-1190

    		 Neu und Original
    IXTA08N100D2HV

    Mfr.#: IXTA08N100D2HV

    OMO.#: OMO-IXTA08N100D2HV-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET N-CH
    IXTA08N50D2

    Mfr.#: IXTA08N50D2

    OMO.#: OMO-IXTA08N50D2-IXYS-CORPORATION

    		 Darlington Transistors MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
    IXTA08N120P

    Mfr.#: IXTA08N120P

    OMO.#: OMO-IXTA08N120P-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
    IXTA08N100P

    Mfr.#: IXTA08N100P

    OMO.#: OMO-IXTA08N100P-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5500
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    3,20 $
    3,20 $
    10
    2,90 $
    29,00 $
    25
    2,52 $
    63,00 $
    50
    2,36 $
    118,00 $
    100
    2,33 $
    233,00 $
    250
    1,89 $
    472,50 $
    500
    1,81 $
    905,00 $
    1000
    1,50 $
    1 500,00 $
    2500
    1,26 $
    3 150,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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