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IXTQ470P2

IXTQ470P2
Mfr. #:
IXTQ470P2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTQ470P2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTQ470P2 Datasheet
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTQ470P2 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3P-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
500 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
42 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
145 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
830 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
Polar2 HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Serie:
IXTQ470
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
PolarP2 Power MOSFET
Marke:
IXYS
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Gewichtseinheit:
0.194007 oz
Tags
IXTQ4, IXTQ, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
IXTQ470P2 series 500V 42A 0.145 Ohm N-ch TO-3P Mosfet
***i-Key
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
***S
new, original packaged
PolarP2™ Power MOSFETs
IXYS PolarP2™ Power MOSFETs are rugged, energy-efficient power MOSFET solutions manufactured using the IXYS proprietary PolarP2 Technology Platform for optimized low on-state resistance and gate charge. These PolarP2 power MOSFETs are available with drain current ratings of 16, 22, 42, and 52A and feature a reduction in on-state resistance of up to 20 percent compared with previous Polar-Series generations. These easy-to-mount IXYS devices include avalanche capabilities that add an additional safeguard against over-voltage transients. Polar-Series Power MOSFETs allow for the development of more efficient power subsystems in applications such as high frequency inverters in power conversion and solar energy generation.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTQ470P2
DISTI # IXTQ470P2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 500V 42A TO3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$5.4000
IXTQ470P2
DISTI # 747-IXTQ470P2		IXYS CorporationMOSFET PolarP2 Power MOSFET
RoHS: Compliant		18
  • 1:$7.7200
  • 10:$6.9000
  • 25:$6.0000
  • 50:$5.8800
  • 100:$5.6600
  • 250:$4.8300
  • 500:$4.5800
  • 1000:$3.8700
Bild Teil # Beschreibung
IXTQ26P20P

Mfr.#: IXTQ26P20P

OMO.#: OMO-IXTQ26P20P

 MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
IXTQ52N30P

Mfr.#: IXTQ52N30P

OMO.#: OMO-IXTQ52N30P

 MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
IXTQ140N10P

Mfr.#: IXTQ140N10P

OMO.#: OMO-IXTQ140N10P

 MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
IXTQ62N15P

Mfr.#: IXTQ62N15P

OMO.#: OMO-IXTQ62N15P

 MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
IXTQ160N10T

Mfr.#: IXTQ160N10T

OMO.#: OMO-IXTQ160N10T

 MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
IXTQ26000RDA

Mfr.#: IXTQ26000RDA

OMO.#: OMO-IXTQ26000RDA-1190

 Neu und Original
IXTQ32N65X

Mfr.#: IXTQ32N65X

OMO.#: OMO-IXTQ32N65X-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
IXTQ460P2

Mfr.#: IXTQ460P2

OMO.#: OMO-IXTQ460P2-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET PolarP2 Power MOSFET
IXTQ44P15T

Mfr.#: IXTQ44P15T

OMO.#: OMO-IXTQ44P15T-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
IXTQ48N20T

Mfr.#: IXTQ48N20T

OMO.#: OMO-IXTQ48N20T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
18
Auf Bestellung:
2001
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Der aktuelle Preis von IXTQ470P2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
7,72 $
7,72 $
10
6,90 $
69,00 $
25
6,00 $
150,00 $
50
5,88 $
294,00 $
100
5,66 $
566,00 $
250
4,83 $
1 207,50 $
500
4,58 $
2 290,00 $
1000
3,87 $
3 870,00 $
2500
3,31 $
8 275,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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