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SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4814BDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4814BDY-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
KLEINER FUSS
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4814BDY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual mit Schottky-Diode
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
3.3W, 3.5W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
10A, 10.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
10nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
1.9 W 2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
11 ns 13 ns
Anstiegszeit
11 ns 13 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
18 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
21 ns 27 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
8 ns 9 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4814BDY-T, SI4814BDY, SI4814B, SI4814, SI481, SI48, SI4
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Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
MOSFET, Power, Dual N-Channel, 0.0145 Ohms (Channel1), 0.015 Ohms (Channel2)
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel / Schottky Diode; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:10.5A; On Resistance, Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4814BDY-T1-E3
DISTI # SI4814BDY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4814BDY-T1-E3
    DISTI # 70026019    		Vishay SiliconixMOSFET,Power,Dual N-Channel,0.0145 Ohms (Channel1),0.015 Ohms (Channel2)
    RoHS: Compliant    		0
    • 2500:$1.0100
    SI4814BDY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4814BDY-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4814BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-E3

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      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
      SI4814BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
      SI4814BD-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BD-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BD-T1-E3-1190

      		 Neu und Original
      SI4814BDY

      Mfr.#: SI4814BDY

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-1190

      		 Neu und Original
      SI4814BDY-T1-E

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E-1190

      		 Neu und Original
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