STV160NF02LT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerSO-10

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

160 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

210 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

3.65 mm

Länge:

7.6 mm

Serie:

STV160NF02

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

9.5 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

210 S

Abfallzeit:

240 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

800 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Tags

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