NVTFS4C06NWFTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

71 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.1 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVTFS4C06N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.001054 oz

Tags

NVTFS4C06, NVTFS4C0, NVTFS4C, NVTFS4, NVTFS, NVTF, NVT