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A2T23H200W23SR6

A2T23H200W23SR6
Mfr. #:
A2T23H200W23SR6
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2T23H200W23SR6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
A2T23H200W23SR6 Mehr Informationen A2T23H200W23SR6 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
Dualer N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.8 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 65 V
Gewinnen:
15.5 dB
Ausgangsleistung:
51 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
ACP-1230S-4
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
2300 MHz to 2400 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
150
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.1 V
Teil # Aliase:
935347117128
Gewichtseinheit:
0 oz
Tags
A2T23H, A2T23, A2T2, A2T
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Airfast RF Power LDMOS Transistor 2300MHz to 2400MHz 51W 28V 4-Pin ACP-1230S 250Units T/R
*** Semiconductors SCT
Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V, ACP-1230S-4L2S, RoHS
***W
RF Power Transistor, 2.3 to 2.4 GHz, 51 W Avg, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2300 MHz, 28 V, SOT1800-4, LDMOS
***el Electronic
IC DGT POT 10KOHM 1024TAP 16TQFN
***ical
Trans RF FET N-CH 65V 6-Pin T/R
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
A2T23H200W23SR6
DISTI # V36:1790_18659181		NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR0
  • 150000:$51.4100
  • 75000:$51.4200
  • 15000:$53.1900
  • 1500:$57.3500
  • 150:$58.1200
A2T23H200W23SR6
DISTI # A2T23H200W23SR6-ND		NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 150:$58.1154
A2T23H200W23SR6
DISTI # A2T23H200W23SR6		Avnet, Inc.Airfast RF Power LDMOS Transistor 2300MHz to 2400MHz 51W 28V 4-Pin ACP-1230S 250Units T/R (Alt: A2T23H200W23SR6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 1500:€50.4900
  • 900:€54.0900
  • 600:€58.1900
  • 300:€60.5900
  • 150:€63.0900
A2T23H200W23SR6
DISTI # A2T23H200W23SR6		Avnet, Inc.Airfast RF Power LDMOS Transistor 2300MHz to 2400MHz 51W 28V 4-Pin ACP-1230S 250Units T/R - Tape and Reel (Alt: A2T23H200W23SR6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Reel		Americas - 0
  • 1500:$53.8900
  • 900:$54.9900
  • 600:$56.9900
  • 300:$59.3900
  • 150:$61.7900
A2T23H200W23SR6
DISTI # A2T23H200W23SR6		Avnet, Inc.Airfast RF Power LDMOS Transistor 2300MHz to 2400MHz 51W 28V 4-Pin ACP-1230S 250Units T/R (Alt: A2T23H200W23SR6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Tape and Reel		Asia - 0
  • 7500:$53.0250
  • 3750:$54.3846
  • 1500:$55.0909
  • 750:$55.8158
  • 450:$57.3243
  • 300:$58.9167
  • 150:$60.6000
A2T23H200W23SR6
DISTI # 771-A2T23H200W23SR6		NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
RoHS: Compliant		0
  • 1:$67.8800
  • 5:$66.6300
  • 10:$64.9100
  • 25:$63.6300
  • 100:$58.9700
  • 150:$56.4200
A2T23H200W23SR6
DISTI # A2T23H200W23SR6		NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 150:$63.6300
Bild Teil # Beschreibung
A2T23H200W23SR6

Mfr.#: A2T23H200W23SR6

OMO.#: OMO-A2T23H200W23SR6

 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V
A2T23H200W23SR6

Mfr.#: A2T23H200W23SR6

OMO.#: OMO-A2T23H200W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

 RF POWER TRANSISTOR
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
67,88 $
67,88 $
5
66,63 $
333,15 $
10
64,91 $
649,10 $
25
63,63 $
1 590,75 $
100
58,97 $
5 897,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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