SSM3K15ACT,L3F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

CST3-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

100 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.38 mm

Länge:

1 mm

Serie:

SSM3K15

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.6 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000026 oz

Tags

SSM3K15ACT,L, SSM3K15AC, SSM3K15A, SSM3K15, SSM3K1, SSM3K, SSM3, SSM