BFR8

BFR840L3RHESD vs BFR840L3RHESD E6327 vs BFR840L3RHESDE6327

 
PartNumberBFR840L3RHESDBFR840L3RHESD E6327BFR840L3RHESDE6327
Description
Manufacturer--INFINEON
Product Category--Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Series--BFR840L3
Packaging--Digi-ReelR Alternate Packaging
Part Aliases--840L3RHESD BFR BFR840L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
Mounting Style--SMD/SMT
Package Case--SC-101, SOT-883
Technology--SiGe
Mounting Type--Surface Mount
Supplier Device Package--TSLP-3-9
Configuration--Single
Power Max--75mW
Transistor Type--NPN
Current Collector Ic Max--35mA
Voltage Collector Emitter Breakdown Max--2.6V
DC Current Gain hFE Min Ic Vce--150 @ 10mA, 1.8V
Frequency Transition--75GHz
Noise Figure dB Typ f--0.5dB @ 450MHz
Gain--27dB
Pd Power Dissipation--75 mW
Maximum Operating Temperature--+ 150 C
Minimum Operating Temperature--- 55 C
Operating Frequency--75 GHz
Collector Emitter Voltage VCEO Max--2.25 V
Emitter Base Voltage VEBO--2.9 V
Continuous Collector Current--35 mA
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
Infineon Technologies
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