DN3

DN3135K1-G vs DN3145N8-G vs DN3135N8-G

 
PartNumberDN3135K1-GDN3145N8-GDN3135N8-G
DescriptionMOSFET 350V 35OhmMOSFET 450V 60OhmMOSFET 350V 35Ohm
ManufacturerMicrochipMicrochipMicrochip
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3SOT-89-3SOT-89-3
Number of Channels1 Channel1 Channel1 Channel
Transistor PolarityN-ChannelN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage350 V450 V350 V
Id Continuous Drain Current72 mA100 mA135 mA
Rds On Drain Source Resistance35 Ohms60 Ohms35 Ohms
Vgs Gate Source Voltage20 V20 V20 V
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C+ 150 C
Pd Power Dissipation360 mW1.3 W1.3 W
ConfigurationSingleSingleSingle
Channel ModeDepletionDepletionDepletion
PackagingReelReelReel
Height0.95 mm1.6 mm1.6 mm
Length2.9 mm4.6 mm4.6 mm
ProductMOSFET Small SignalMOSFET Small SignalMOSFET Small Signal
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel1 N-Channel
TypeFETFETFET
Width1.3 mm2.6 mm2.6 mm
BrandMicrochip TechnologyMicrochip TechnologyMicrochip Technology
Forward Transconductance Min140 mS-140 mS
Fall Time20 ns15 ns20 ns
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time15 ns15 ns15 ns
Factory Pack Quantity300020002000
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time15 ns20 ns15 ns
Typical Turn On Delay Time10 ns10 ns10 ns
Unit Weight0.000282 oz0.001862 oz0.001862 oz
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  • DN3 79
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
DN350T05-7 Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Microchip Technology
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DN3135K1-G MOSFET 350V 35Ohm
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DN3135N8-G MOSFET 350V 35Ohm
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