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SEMIBZX84C3V3LT1 vs SEMICONDUCTOR vs SEMIKRON

 
PartNumberSEMIBZX84C3V3LT1SEMICONDUCTORSEMIKRON
Description
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  • SEM 492
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
SEMIBZX84C3V3LT1 Neu und Original
SEMICONDUCTOR Neu und Original
SEMIKRON Neu und Original
SEMIPACK Neu und Original
SEMITEC-S-452T; Neu und Original
SEMITRANSM1 Neu und Original
SEMIV/R220K Neu und Original
SEMIX101GD066HDS Neu und Original
SEMIX101GD126HDS IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX101GD128DC Neu und Original
SEMIX101GD128DS Neu und Original
SEMIX101GD12E4S Neu und Original
SEMIX151GB12E4V4 Neu und Original
SEMIX151GB12T4S Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SEMIX151GD126HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 100A
SEMIX151GD128DS Neu und Original
SEMIX151GD12E4S IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 232A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:232A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX171KH16S RECTIFIER/THYRISTOR DIODE MODULE, 1600V, SEMIX
SEMIX201GD128DS Neu und Original
SEMIX202GB066HD Neu und Original
SEMIX202GB066HDS IGBT MODULE, DUAL, 600V, 275A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:275A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b
SEMIX202GB128DS Neu und Original
SEMIX202GB12E4S Neu und Original
SEMIX202GB12T4S Neu und Original
SEMIX202GB12V4S Neu und Original
SEMIX202GB12VS IGBT, MODULE, 1.2KV, 310A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:310A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
SEMIX223GD12E4C Neu und Original
SEMIX241DH16S THYRISTOR DIODE MODULE 300A, 1.6KV, SCR Module Type:Bridge Rectifier, Three Phase - SCR / Diode, Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV, Gate Trigger Current Max, Igt:150mA, Current It av:2
SEMIX241MD008S Neu und Original
SEMIX251GD126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX252GB126HD Neu und Original
SEMIX252GB126HDS IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 242A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:242A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX253GB126HD Neu und Original
SEMIX253GD126HDC Neu und Original
SEMIX291D16S Neu und Original
SEMIX302GAR12E4S Neu und Original
SEMIX302GB126HDS Neu und Original
SEMIX302GB126HS Neu und Original
SEMIX302GB128D IGBT 4 (Trench)
SEMIX302GB128DS Neu und Original
SEMIX302GB12E4S Neu und Original
SEMIX302GB12T4S Neu und Original
SEMIX302KD16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KH16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KT16S SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A
SEMICONDCTORS Neu und Original
SEMICONDUCTOR SELECTION Neu und Original
SEMICONOUCTOR Neu und Original
SEMIX101GD12T4S Neu und Original
SEMIX202GB128D Neu und Original
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