SEMI

SEMI vs SEMI-TECHMZ-01 vs SEMI201209U3R3KT

 
PartNumberSEMISEMI-TECHMZ-01SEMI201209U3R3KT
Description
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
SEMI Neu und Original
SEMI-TECHMZ-01 Neu und Original
SEMI201209U3R3KT Neu und Original
SEMI202GB128DS Neu und Original
SEMI2606 Neu und Original
SEMI322513U4R7KT(4.7UH Neu und Original
SEMI4402A Neu und Original
SEMI4402BCD Neu und Original
SEMI6406 Neu und Original
SEMI8401 Neu und Original
SEMIBZX84C3V3LT1 Neu und Original
SEMICONDCTORS Neu und Original
SEMICONDUCTOR Neu und Original
SEMICONDUCTOR SELECTION Neu und Original
SEMICONOUCTOR Neu und Original
SEMIKRON Neu und Original
SEMIPACK Neu und Original
SEMITEC-S-452T; Neu und Original
SEMITRANSM1 Neu und Original
SEMIV/R220K Neu und Original
SEMIX101GD066HDS Neu und Original
SEMIX101GD126HDS IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX101GD128DC Neu und Original
SEMIX101GD128DS Neu und Original
SEMIX101GD12E4S Neu und Original
SEMIX101GD12T4S Neu und Original
SEMIX151GB12E4V4 Neu und Original
SEMIX151GB12T4S Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SEMIX151GD126HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 100A
SEMIX151GD128DS Neu und Original
SEMIX151GD12E4S IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 232A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:232A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX171KH16S RECTIFIER/THYRISTOR DIODE MODULE, 1600V, SEMIX
SEMIX201GD128DS Neu und Original
SEMIX202GB066HD Neu und Original
SEMIX202GB066HDS IGBT MODULE, DUAL, 600V, 275A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:275A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b
SEMIX202GB128D Neu und Original
SEMIX202GB128DS Neu und Original
SEMIX202GB12E4S Neu und Original
SEMIX202GB12T4S Neu und Original
SEMIX202GB12V4S Neu und Original
SEMIX202GB12VS IGBT, MODULE, 1.2KV, 310A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:310A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
SEMIX223GD12E4C Neu und Original
SEMIX241DH16S THYRISTOR DIODE MODULE 300A, 1.6KV, SCR Module Type:Bridge Rectifier, Three Phase - SCR / Diode, Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV, Gate Trigger Current Max, Igt:150mA, Current It av:2
SEMIX241MD008S Neu und Original
SEMIX251GD126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX252GB126HD Neu und Original
SEMIX252GB126HDS IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 242A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:242A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX253GB126HD Neu und Original
SEMIX253GD126HDC Neu und Original
SEMIX291D16S Neu und Original
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