STN8

STN83003 vs STN851 vs STN817A

 
PartNumberSTN83003STN851STN817A
DescriptionBipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistorBipolar Transistors - BJT NPN Lo-Volt Fast SwBipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM Pwr TRANSISTOR
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTM
Product CategoryBipolar Transistors - BJTBipolar Transistors - BJTTransistors (BJT) - Single
RoHSYY-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseSOT-223-4SOT-223-4-
Transistor PolarityNPNNPN-
ConfigurationSingleSingle-
Collector Emitter Voltage VCEO Max400 V60 V-
Emitter Base Voltage VEBO12 V7 V-
Maximum DC Collector Current1.5 A5 A-
Minimum Operating Temperature- 65 C- 65 C-
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C-
SeriesSTN83003STN851-
Height1.8 mm1.8 mm-
Length6.5 mm6.5 mm-
PackagingReelReel-
Width3.5 mm3.5 mm-
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronics-
Continuous Collector Current1.5 A--
Pd Power Dissipation1600 mW1.6 W-
Product TypeBJTs - Bipolar TransistorsBJTs - Bipolar Transistors-
Factory Pack Quantity10001000-
SubcategoryTransistorsTransistors-
Unit Weight0.003951 oz0.003951 oz-
Collector Base Voltage VCBO-150 V-
Collector Emitter Saturation Voltage-320 mV-
Gain Bandwidth Product fT-130 MHz-
DC Current Gain hFE Max-350-
DC Collector/Base Gain hfe Min-150-
Hersteller Teil # Beschreibung RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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