IXTQ26N60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

26 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

270 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

72 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

460 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarHV

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.8 mm

Serie:

IXTQ26N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

PolarHV Leistungs-MOSFET

Breite:

4.9 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.194007 oz

Tags

IXTQ26N, IXTQ26, IXTQ2, IXTQ, IXT