IXTQ200N10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

550 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.8 mm

Serie:

IXTQ200N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Gewichtseinheit:

0.194007 oz

Tags

IXTQ20, IXTQ2, IXTQ, IXT