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TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ
Mfr. #:
TK8Q60W,S1VQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK8Q60W,S1VQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK8Q60W,S1VQ DatasheetTK8Q60W,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK8Q60W,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK8Q60W,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK8Q60W,S1VQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-251-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
420 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
18.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
80 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
6.1 mm
Länge:
6.65 mm
Serie:
TK8Q60W
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
2.3 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
5.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
20 ns
Werkspackungsmenge:
75
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
40 ns
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
TK8Q60W, TK8Q60, TK8Q, TK8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***roFlash
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Ipak(Os) Moq=2000 Pd=80W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
***et
DTMOSIV_600V_500MOHM MAX(VGS=10V)_IPAK
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # V99:2348_13896232		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
RoHS: Compliant		75
  • 100:$1.6162
  • 25:$1.6665
  • 10:$1.8724
  • 1:$2.0964
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # TK8Q60WS1VQ-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N CH 600V 8A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 75
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 75:$2.0020
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # 30335003		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
RoHS: Compliant		75
  • 25:$1.6278
  • 10:$1.8269
  • 7:$2.0450
TK8Q60WS1VQ
DISTI # TK8Q60W,S1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N 600V 8A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: TK8Q60W,S1VQ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 75
Container: Tube		Americas - 0
  • 75:$1.0900
  • 150:$0.9900
  • 300:$0.9900
  • 450:$0.8900
  • 750:$0.8900
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # 757-TK8Q60WS1VQ		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.2600
  • 10:$1.8200
  • 100:$1.4600
  • 500:$1.2800
  • 1000:$1.0600
  • 2500:$0.9830
  • 5000:$0.9470
TK8Q60W,S1VQ
DISTI # C1S751200954270		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs
RoHS: Compliant		75
  • 25:$1.6278
  • 10:$1.8269
TK8Q60W,S1VQ(S
DISTI # C1S751201057495		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs150
  • 100:$2.1600
  • 50:$2.2600
TK8Q60WS1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET 600V 500MOHM VGS=10VIPAK
RoHS: Compliant		Americas -
    TK8Q60W,S1VQToshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      TK8Q60W,S1VQ

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ

      		 MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
      TK8Q60W,S1VQ

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      		 Darlington Transistors MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
      TK8Q60V

      Mfr.#: TK8Q60V

      OMO.#: OMO-TK8Q60V-1190

      		 Neu und Original
      TK8Q60W

      Mfr.#: TK8Q60W

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-1190

      		 Neu und Original
      TK8Q60W,S1VQ(S

      Mfr.#: TK8Q60W,S1VQ(S

      OMO.#: OMO-TK8Q60W-S1VQ-S-1190

      		 Neu und Original
      TK8Q60WS1VQ

      Mfr.#: TK8Q60WS1VQ

      OMO.#: OMO-TK8Q60WS1VQ-1190

      		 Trans MOSFET N 600V 8A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: TK8Q60W,S1VQ)
      TK8Q60WS1VQ-ND

      Mfr.#: TK8Q60WS1VQ-ND

      OMO.#: OMO-TK8Q60WS1VQ-ND-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von TK8Q60W,S1VQ dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      2,26 $
      2,26 $
      10
      1,82 $
      18,20 $
      100
      1,46 $
      146,00 $
      500
      1,28 $
      640,00 $
      1000
      1,06 $
      1 060,00 $
      2500
      0,98 $
      2 457,50 $
      5000
      0,95 $
      4 735,00 $
      10000
      0,91 $
      9 100,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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