SIHF9630S-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

29 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

74 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

SIHF

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

SIHF963, SIHF96, SIHF9, SIHF, SIH