ZXMP3A17E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

15.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMP3A

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.4 S

Abfallzeit:

8.72 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.87 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.74 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXMP3A17E6T, ZXMP3A17E, ZXMP3A17, ZXMP3A, ZXMP3, ZXMP, ZXM