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APTGL40H120T1G

APTGL40H120T1G
Mfr. #:
APTGL40H120T1G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules DOR CC8085
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APTGL40H120T1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APTGL40H120T1G DatasheetAPTGL40H120T1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Vollbrücke
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1.2 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.85 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
65 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Pd - Verlustleistung:
220 W
Paket / Koffer:
SP1-12
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 100 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
2.821917 oz
Tags
APTGL4, APTGL, APTG, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 65A 12-Pin Case SP1
***i-Key
IGBT MODULE 1200V 65A 220W SP1
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
Bild Teil # Beschreibung
APTGL40H120T1G

Mfr.#: APTGL40H120T1G

OMO.#: OMO-APTGL40H120T1G

 IGBT Modules DOR CC8085
APTGL40X120T3G

Mfr.#: APTGL40X120T3G

OMO.#: OMO-APTGL40X120T3G

 IGBT Modules DOR CC3132
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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