IXTT6N120

IXTT6N120
Mfr. #:
IXTT6N120
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTT6N120 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXTT6N120
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.158733 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-268-2
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
300 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
18 ns
Anstiegszeit
33 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.6 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
42 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
28 ns
Qg-Gate-Ladung
56 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
3 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTT6, IXTT, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 1200 V 2.6 Ohm 300 W Power Mosfet - TO-268
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTT6N120
DISTI # IXTT6N120-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Box
Temporarily Out of Stock
  • 30:$9.0877
IXTT6N120
DISTI # 747-IXTT6N120
IXYS CorporationMOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
RoHS: Compliant
46
  • 1:$11.5800
  • 10:$10.4300
  • 25:$8.6800
  • 50:$8.0600
  • 100:$7.8800
  • 250:$7.1900
  • 500:$6.5600
  • 1000:$6.2600
Bild Teil # Beschreibung
IXTT120N15P

Mfr.#: IXTT120N15P

OMO.#: OMO-IXTT120N15P

MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P

MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT2N170D2

Mfr.#: IXTT2N170D2

OMO.#: OMO-IXTT2N170D2

MOSFET 1700V 2A
IXTT110N10L2

Mfr.#: IXTT110N10L2

OMO.#: OMO-IXTT110N10L2

MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXTT110N10P

Mfr.#: IXTT110N10P

OMO.#: OMO-IXTT110N10P

MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXTT75N15

Mfr.#: IXTT75N15

OMO.#: OMO-IXTT75N15-1190

Neu und Original
IXTT6N120

Mfr.#: IXTT6N120

OMO.#: OMO-IXTT6N120-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
IXTT88N30P

Mfr.#: IXTT88N30P

OMO.#: OMO-IXTT88N30P-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTT82N25P

Mfr.#: IXTT82N25P

OMO.#: OMO-IXTT82N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTT64N25P

Mfr.#: IXTT64N25P

OMO.#: OMO-IXTT64N25P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXTT6N120 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
9,39 $
9,39 $
10
8,92 $
89,21 $
100
8,45 $
845,10 $
500
7,98 $
3 990,75 $
1000
7,51 $
7 512,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top