FDS2170N3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

128 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

23 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.000557 oz

Tags

FDS2170N3, FDS2170N, FDS217, FDS21, FDS2, FDS