STFI12N60M2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

450 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

4.6 mm

Länge:

10.85 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

STFI12N60M2

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MDmesh M2

Breite:

10.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.2 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.2 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

STFI1, STFI, STF