IXFR12N100Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

IXFR12N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFR12N10, IXFR12N, IXFR12, IXFR1, IXFR, IXF