IXFT15N100Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.1 mm

Länge:

16.05 mm

Serie:

IXFT15N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

14 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

67 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.158733 oz

Tags

IXFT15N100Q, IXFT15N1, IXFT15N, IXFT15, IXFT1, IXFT, IXF