STP4N150

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

160 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP4N150

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.5 S

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP4N15, STP4N1, STP4N, STP4, STP