IPB091N06NG

IPB091N06NG
Mfr. #:
IPB091N06NG
Hersteller:
Infineon Technologies AG
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB091N06NG Datenblatt
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IPB09, IPB0, IPB
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB091N06NG
DISTI # 726-IPB091N06NG
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
RoHS: Compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    IPB090N06N3GATMA1

    Mfr.#: IPB090N06N3GATMA1

    OMO.#: OMO-IPB090N06N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
    IPB093N04L  G

    Mfr.#: IPB093N04L G

    OMO.#: OMO-IPB093N04L-G-1190

    Neu und Original
    IPB093N04LG

    Mfr.#: IPB093N04LG

    OMO.#: OMO-IPB093N04LG-1190

    Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    IPB093N04LGATMA1

    Mfr.#: IPB093N04LGATMA1

    OMO.#: OMO-IPB093N04LGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
    IPB096N03LG

    Mfr.#: IPB096N03LG

    OMO.#: OMO-IPB096N03LG-1190

    Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    IPB097N08N3GXT

    Mfr.#: IPB097N08N3GXT

    OMO.#: OMO-IPB097N08N3GXT-1190

    Neu und Original
    IPB09N03

    Mfr.#: IPB09N03

    OMO.#: OMO-IPB09N03-1190

    Neu und Original
    IPB09N03LA/PSI

    Mfr.#: IPB09N03LA/PSI

    OMO.#: OMO-IPB09N03LA-PSI-1190

    Neu und Original
    IPB097N08N3 G

    Mfr.#: IPB097N08N3 G

    OMO.#: OMO-IPB097N08N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT Transistors MOSFET N-Ch 80V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3
    IPB096N03L G

    Mfr.#: IPB096N03L G

    OMO.#: OMO-IPB096N03L-G-126

    IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 35A D2PAK-2 OptiMOS 3
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