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IXFN26N90

IXFN26N90
Mfr. #:
IXFN26N90
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 900V 26A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN26N90 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Chassishalterung
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
600 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.23 mm
Serie:
IXFN26N90
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
25.42 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
28 S
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
60 ns
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
IXFN26N, IXFN26, IXFN2, IXFN, IXF
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Mosfet Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 Mohm, 10 V, 5 V Rohs Compliant: Yes
***inecomponents.com
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
***ment14 APAC
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:600W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:3; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current Id Max:26A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Isolation Voltage:2.5kV; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:300mohm; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Pd:600W; Power Dissipation Pd:600W; Pulse Current Idm:104A; Rate of Voltage Change dv / dt:5Vµs; Repetitive Avalanche Energy Max:64mJ; Termination Type:Screw; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Weight:0.044kg
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN26N90
DISTI # V99:2348_17750909		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant		0
    IXFN26N90
    DISTI # IXFN26N90-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube    		175In Stock
    • 100:$26.9864
    • 30:$29.0360
    • 10:$31.5980
    • 1:$34.1600
    IXFN26N90
    DISTI # 14J1685    		IXYS CorporationMOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes0
      IXFN26N90
      DISTI # 747-IXFN26N90      		IXYS CorporationMOSFET 900V 26A
      RoHS: Compliant      		0
      • 20:$31.6000
      • 30:$29.0400
      • 50:$27.8000
      • 100:$26.9900
      • 200:$24.7700
      IXFN26N90
      DISTI # 4905570      		IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
      RoHS: Compliant      		0
      • 250:$37.5200
      • 100:$40.8900
      • 30:$43.9900
      • 10:$47.8700
      • 1:$51.7500
      Bild Teil # Beschreibung
      IXFN180N15P

      Mfr.#: IXFN180N15P

      OMO.#: OMO-IXFN180N15P

      		 MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
      IXFN360N15T2

      Mfr.#: IXFN360N15T2

      OMO.#: OMO-IXFN360N15T2

      		 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
      IXFN44N80P

      Mfr.#: IXFN44N80P

      OMO.#: OMO-IXFN44N80P

      		 MOSFET 36 Amps 800V
      IXFN80N50Q3

      Mfr.#: IXFN80N50Q3

      OMO.#: OMO-IXFN80N50Q3

      		 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
      IXFN300N10P

      Mfr.#: IXFN300N10P

      OMO.#: OMO-IXFN300N10P

      		 MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
      IXFN44N50U3

      Mfr.#: IXFN44N50U3

      OMO.#: OMO-IXFN44N50U3-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
      IXFN48N45

      Mfr.#: IXFN48N45

      OMO.#: OMO-IXFN48N45-1190

      		 Neu und Original
      IXFN80N50P

      Mfr.#: IXFN80N50P

      OMO.#: OMO-IXFN80N50P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
      IXFN73N30

      Mfr.#: IXFN73N30

      OMO.#: OMO-IXFN73N30-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 300V 73A
      IXFN100N20

      Mfr.#: IXFN100N20

      OMO.#: OMO-IXFN100N20-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von IXFN26N90 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      20
      31,60 $
      632,00 $
      30
      29,04 $
      871,20 $
      50
      27,80 $
      1 390,00 $
      100
      26,99 $
      2 699,00 $
      200
      24,77 $
      4 954,00 $
      500
      23,57 $
      11 785,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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