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BSM75GAR120DN2

BSM75GAR120DN2
Mfr. #:
BSM75GAR120DN2
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM75GAR120DN2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
IS4 (34 mm )-5
Montageart:
Chassishalterung
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
100 A
Pd - Verlustleistung:
625 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Tablett
Höhe:
30.5 mm
Länge:
94 mm
Breite:
34 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
105 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462
Gewichtseinheit:
5.436423 oz
Tags
BSM75GAR12, BSM75GAR, BSM75GA, BSM75G, BSM75, BSM7, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V, 100A, GAR CH
***omponent
Eupec Infineon power module
***nell
IGBT MODULE, CHOPPER, 1200V; Transistor type:Half-Bridge; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic continuous a max:75A; Case style:M34a; Power, Pd:625W; Transistor polarity:NPN; Voltage, Vceo:1200V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM75GAR120DN2HOSA1
DISTI # BSM75GAR120DN2HOSA1-ND		Infineon Technologies AGIGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		Limited Supply - Call
  • 10:$78.5330
BSM75GAR120DN2
DISTI # 61M5057		Infineon Technologies AGIGBT MODULE, CHOPPER, 1200V,Transistor Polarity:N Channel,DC Collector Current:105A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V,Power Dissipation Pd:625W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV,No. of Pins:7Pins , RoHS Compliant: Yes0
    BSM75GAR120DN2Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
    RoHS: Compliant    		2
    • 1000:$68.6500
    • 500:$72.2600
    • 100:$75.2300
    • 25:$78.4500
    • 1:$84.4900
    BSM75GAR120DN2
    DISTI # 641-BSM75GAR120DN2    		Infineon Technologies AGIGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
    RoHS: Compliant    		0
      BSM75GAR120DN2
      DISTI # 1496960      		Infineon Technologies AGIGBT MODULE, CHOPPER, 1200V
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:£55.8100
      • 5:£54.5300
      • 10:£53.2600
      • 50:£51.9800
      BSM75GAR120DN2
      DISTI # 1496960      		Infineon Technologies AGIGBT MODULE, CHOPPER, 1200V
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:$125.0700
      • 5:$120.6100
      • 12:$116.4500
      Bild Teil # Beschreibung
      BSM75GAL120DN2

      Mfr.#: BSM75GAL120DN2

      OMO.#: OMO-BSM75GAL120DN2

      		 IGBT Modules 1200V 75A CHOPPER
      BSM75GAR120DN2

      Mfr.#: BSM75GAR120DN2

      OMO.#: OMO-BSM75GAR120DN2

      		 IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
      BSM75GAL100D

      Mfr.#: BSM75GAL100D

      OMO.#: OMO-BSM75GAL100D-1190

      		 Neu und Original
      BSM75GAL120D

      Mfr.#: BSM75GAL120D

      OMO.#: OMO-BSM75GAL120D-1190

      		 Neu und Original
      BSM75GAL60DLC

      Mfr.#: BSM75GAL60DLC

      OMO.#: OMO-BSM75GAL60DLC-1190

      		 Neu und Original
      BSM75GAR120D

      Mfr.#: BSM75GAR120D

      OMO.#: OMO-BSM75GAR120D-1190

      		 Neu und Original
      BSM75GAR170DN2

      Mfr.#: BSM75GAR170DN2

      OMO.#: OMO-BSM75GAR170DN2-1190

      		 Neu und Original
      BSM75GAL120DN2HOSA1

      Mfr.#: BSM75GAL120DN2HOSA1

      OMO.#: OMO-BSM75GAL120DN2HOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MEDIUM POWER 34MM
      BSM75GAR120DN2HOSA1

      Mfr.#: BSM75GAR120DN2HOSA1

      OMO.#: OMO-BSM75GAR120DN2HOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
      BSM75GAR120DN2

      Mfr.#: BSM75GAR120DN2

      OMO.#: OMO-BSM75GAR120DN2-126

      		 IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
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      Der aktuelle Preis von BSM75GAR120DN2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      10
      76,31 $
      763,10 $
      30
      73,77 $
      2 213,10 $
      100
      68,69 $
      6 869,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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