NTJD4401NT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-88-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

775 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

510 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

270 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

227 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

227 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

786 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

83 ns

Tags

NTJD4401NT, NTJD4401N, NTJD4401, NTJD44, NTJD4, NTJD, NTJ