NTJD4105CT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V, 8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

630 mA, - 775 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

375 mOhms, 900 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV, 450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V, - 1.8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.3 nC, 2.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.55 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTJD4105C

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S, 2 S

Abfallzeit:

506 ns, 36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

227 ns, 23 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

786 ns, 50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

83 ns, 13 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

NTJD4105CT1G, NTJD4105CT1, NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ