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HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF
Mfr. #:
HN2C01FEYTE85LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
HN2C01FEYTE85LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Toshiba Halbleiter und Speicher
Produktkategorie
Transistoren (BJT) - Arrays
Serie
-
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Gewichtseinheit
0.000106 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-563, SOT-666
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
ES6
Aufbau
Dual
Leistung max
100mW
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom-Kollektor-Ic-Max
150mA
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
50V
DC-Strom-Verstärkung-hFE-Min-Ic-Vce
120 @ 2mA, 6V
Vce-Sättigung-Max-Ib-Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom-Kollektor-Abschalt-Max
100nA (ICBO)
Frequenz-Übergang
60MHz
Pd-Verlustleistung
100 mW
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
50 V
Transistor-Polarität
NPN
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
0.1 V
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO
60 V
Emitter-Basis-Spannung-VEBO
5 V
Maximaler-DC-Kollektor-Strom
150 mA
Gain-Bandwidth-Product-fT
60 MHz
Kontinuierlicher Kollektorstrom
150 mA
DC-Kollektor-Basis-Gain-hfe-Min
120
DC-Strom-Verstärkung-hFE-Max
400
Tags
HN2C01FEY, HN2C01FE, HN2C01, HN2C0, HN2C, HN2
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
HN2C01FEYTE85LF
DISTI # HN2C01FEYTE85LFCT-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3930In Stock
  • 1000:$0.0800
  • 500:$0.1176
  • 250:$0.1380
  • 100:$0.2195
  • 25:$0.2824
  • 10:$0.3920
  • 1:$0.4300
HN2C01FEYTE85LF
DISTI # HN2C01FEYTE85LFDKR-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		3930In Stock
  • 1000:$0.0800
  • 500:$0.1176
  • 250:$0.1380
  • 100:$0.2195
  • 25:$0.2824
  • 10:$0.3920
  • 1:$0.4300
HN2C01FEYTE85LF
DISTI # HN2C01FEYTE85LFTR-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    HN2C01FEYTE85LF
    DISTI # 757-HN2C01FEYTE85LF    		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      HN2C01FU-GR(T5L,F)

      Mfr.#: HN2C01FU-GR(T5L,F)

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-GR-T5L-F-

      		 Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 50V, 0.15A US6
      HN2C01FE-GR(T5LF)TR-ND

      Mfr.#: HN2C01FE-GR(T5LF)TR-ND

      OMO.#: OMO-HN2C01FE-GR-T5LF-TR-ND-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU-GR(T5LF)CT-ND

      Mfr.#: HN2C01FU-GR(T5LF)CT-ND

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-GR-T5LF-CT-ND-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU-GR(T5LF)DKR-ND

      Mfr.#: HN2C01FU-GR(T5LF)DKR-ND

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-GR-T5LF-DKR-ND-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU-Y(TE85LFCT-ND

      Mfr.#: HN2C01FU-Y(TE85LFCT-ND

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-Y-TE85LFCT-ND-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU-Y(TE85LFDKR-ND

      Mfr.#: HN2C01FU-Y(TE85LFDKR-ND

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-Y-TE85LFDKR-ND-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FE-GR(T5L)

      Mfr.#: HN2C01FE-GR(T5L)

      OMO.#: OMO-HN2C01FE-GR-T5L--1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU

      Mfr.#: HN2C01FU

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FU-GR , MAX6756UKZ

      Mfr.#: HN2C01FU-GR , MAX6756UKZ

      OMO.#: OMO-HN2C01FU-GR-MAX6756UKZ-1190

      		 Neu und Original
      HN2C01FV-GR

      Mfr.#: HN2C01FV-GR

      OMO.#: OMO-HN2C01FV-GR-1190

      		 Neu und Original
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      1
      0,12 $
      0,12 $
      10
      0,11 $
      1,14 $
      100
      0,11 $
      10,80 $
      500
      0,10 $
      51,00 $
      1000
      0,10 $
      96,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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