SI7652DP-T1-E3

SI7652DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7652DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7652DP-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7652DP-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.9 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
14 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
25 V
ID-Dauer-Drain-Strom
15 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
18.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
32 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7652, SI765, SI76, SI7
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***C
MOSFET 30V 15A 3.9W
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7652DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7652DP-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.9W
RoHS: Compliant
0
    SI7652DP-T1-E3Vishay Intertechnologies 253
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7652DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3

      MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
      SI7652DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3-317

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
      SI7652DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-E3-317

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
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