SI7652DP-T1-GE3

SI7652DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7652DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7652DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7652DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.9 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
14 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
25 V
ID-Dauer-Drain-Strom
15 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
18.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
32 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7652, SI765, SI76, SI7
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Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:15000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.030ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:25V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation, Pd:3.9W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7652DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.4480
  • 6000:$0.4260
  • 9000:$0.4100
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:£1.0960
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7600
Bild Teil # Beschreibung
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3

MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-E3

Mfr.#: SI7652DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
Verfügbarkeit
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Available
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0,62 $
10
0,58 $
5,84 $
100
0,55 $
55,35 $
500
0,52 $
261,40 $
1000
0,49 $
492,00 $
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