SIHP22N60AE-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

156 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

48 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

179 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.49 mm

Länge:

10.41 mm

Serie:

SIH

Breite:

4.7 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

SIHP22N60, SIHP22, SIHP2, SIHP, SIH