MJD44H11T5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

5 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

16 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

85 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MJD44H11

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Pd - Verlustleistung:

20 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.012378 oz

Tags

MJD44H11T, MJD44H1, MJD44H, MJD44, MJD4, MJD