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SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3
Mfr. #:
SIS478DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIS478DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
SISxxxDN
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIS478DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAK-1212-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
15.6 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 25 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.2 V to 2.5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
16 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Qg-Gate-Ladung
7 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
20 S
Tags
SIS478, SIS47, SIS4, SIS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 30 V 0.02 Ohm 3.6 nC SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,DIODE,30V,12A,PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.4A; Power Dissipation Pd:3.2W; Voltage Vgs Max:25V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # V99:2348_09216429		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 9000:$0.1799
  • 6000:$0.1844
  • 3000:$0.1950
  • 1000:$0.2162
  • 500:$0.2616
  • 100:$0.3002
  • 10:$0.3075
  • 1:$0.3417
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # 31051593		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.1950
  • 1000:$0.2162
  • 500:$0.2616
  • 100:$0.3002
  • 34:$0.3075
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # SIS478DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SIS478DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 15000
  • 3000:$2.4000
  • 6000:$1.6552
  • 9000:$1.2308
  • 15000:$1.0000
  • 30000:$0.9057
  • 75000:$0.8727
  • 150000:$0.8421
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # SIS478DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin Power PAK (Alt: SIS478DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
  • 1:€0.4679
  • 10:€0.3189
  • 25:€0.2749
  • 50:€0.2539
  • 100:€0.2439
  • 500:€0.2399
  • 1000:€0.2359
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # 65T1674		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET3000
  • 1:$0.2180
  • 3000:$0.2110
  • 6000:$0.2030
  • 12000:$0.1960
  • 18000:$0.1960
  • 30000:$0.1950
SIS478DN-T1-GE3
DISTI # 781-SIS478DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		2500
  • 1:$0.6000
  • 10:$0.4790
  • 100:$0.3640
  • 500:$0.3000
  • 1000:$0.2400
  • 3000:$0.2180
  • 6000:$0.2030
  • 9000:$0.1960
  • 24000:$0.1950
Bild Teil # Beschreibung
SIS478DN-T1-GE3

Mfr.#: SIS478DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIS478DN-T1-GE3-VISHAY

 IGBT Transistors MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET
SIS478DN

Mfr.#: SIS478DN

OMO.#: OMO-SIS478DN-1190

 Neu und Original
SIS478DN-T1-E3

Mfr.#: SIS478DN-T1-E3

OMO.#: OMO-SIS478DN-T1-E3-1190

 Neu und Original
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Available
Auf Bestellung:
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1
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0,27 $
10
0,25 $
2,52 $
100
0,24 $
23,90 $
500
0,23 $
112,85 $
1000
0,21 $
212,40 $
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