DMN3031LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.95 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN3031

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.95 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

9.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

DMN303, DMN30, DMN3, DMN