ZXMC10A816N8TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.1 A, 2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

230 mOhms, 235 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V, 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9.2 nC, 16.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.95 mm

Serie:

ZXMC10A8

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.95 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.8 S, 4.7 S

Abfallzeit:

5 ns, 12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.1 ns, 5.2 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12.1 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns, 4.3 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMC10A816N, ZXMC1, ZXMC, ZXM