IRFW710BTM

IRFW710BTM
Mfr. #:
IRFW710BTM
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFW710BTM Datenblatt
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Tags
IRFW71, IRFW7, IRFW, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
N-CH/400V/2A/3.6OHM/SUBSTITUTE OF IRFW710ATM
***i-Key
N-CHANNEL POWER MOSFET
***ser
MOSFETs 400V N-Channel B-FET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFW710BTMFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
RoHS: Compliant
1600
  • 1000:$0.1700
  • 500:$0.1800
  • 100:$0.1900
  • 25:$0.2000
  • 1:$0.2100
Bild Teil # Beschreibung
IRFW710B

Mfr.#: IRFW710B

OMO.#: OMO-IRFW710B-1190

Neu und Original
IRFW710BTM

Mfr.#: IRFW710BTM

OMO.#: OMO-IRFW710BTM-1190

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IRFW720B

Mfr.#: IRFW720B

OMO.#: OMO-IRFW720B-1190

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IRFW730

Mfr.#: IRFW730

OMO.#: OMO-IRFW730-1190

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IRFW730AT

Mfr.#: IRFW730AT

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Neu und Original
IRFW730ATU

Mfr.#: IRFW730ATU

OMO.#: OMO-IRFW730ATU-1190

Neu und Original
IRFW730BTM

Mfr.#: IRFW730BTM

OMO.#: OMO-IRFW730BTM-1190

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IRFW730BTMNL

Mfr.#: IRFW730BTMNL

OMO.#: OMO-IRFW730BTMNL-1190

Neu und Original
IRFW740ATM

Mfr.#: IRFW740ATM

OMO.#: OMO-IRFW740ATM-1190

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IRFW740TM

Mfr.#: IRFW740TM

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740TM
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0,26 $
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100
0,23 $
22,95 $
500
0,22 $
108,40 $
1000
0,20 $
204,00 $
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